Samsung Electronics заявила в четверг, что начала производить чипы с использованием своей новейшей 3-нанометровой производственной технологии — впервые в отрасли в мире.
3-нм технология может похвастаться большей плотностью транзисторов, чем нынешняя 5-нм технология, что означает более высокую скорость и меньшее энергопотребление передовых чипов для искусственного интеллекта, больших данных и автономных автомобилей.
Новая технология — это секретное оружие Samsung, крупнейшего в мире производителя чипов памяти, для борьбы с тайваньской TSMC, доминирующим лидером на прибыльном литейном рынке.
По данным рыночного трекера TrendForce, TSMC заняла 52,1% мирового рынка литейных изделий в четвертом квартале прошлого года, в то время как Samsung осталась на втором месте с долей 18,3%.
3-нм технология Samsung также является первой, в которой используется самая передовая архитектура транзисторов, называемая технологией полевых транзисторов с затвором (GAAFET), которая повысила общую эффективность текущей технологии полевых транзисторов с ребрами (FinFET).
Компания Samsung зарегистрировала собственную технологию GAAFET как «Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET)».
Samsung заявила, что в результате общих технологических обновлений 3-нм техпроцесс первого поколения позволил снизить энергопотребление на 45% и повысить производительность на 23% по сравнению с текущим 5-нм техпроцессом с использованием FinFET.
Ожидается, что во втором поколении энергопотребление сократится вдвое, а производительность повысится на 30%, добавили в компании.
«Samsung быстро растет по мере того, как мы продолжаем внедрять первые технологии литейной отрасли, такие как High-K Metal Gate, FinFET и EUV, — сказал Чхве Ши Ён, президент и глава литейного бизнеса Samsung. EUV относится к экстремальной ультрафиолетовой литографии. «Мы продолжим активные инновации в разработке конкурентоспособных технологий и создадим системы, которые помогут нам ускорить достижение технологической зрелости».
GAAFET считается необходимым для литейного микропроизводства следующего поколения, которое меньше 3-нм, но производители чипов изо всех сил пытаются повысить производительность этой очень сложной производственной технологии.
TSMC также планирует начать массовое производство 3-нм чипов в конце этого года, но продолжит использовать FinFET в основном для обеспечения стабильности.
«Samsung идет на риск, внедряя 3-нанометровый техпроцесс раньше, чем его конкуренты, из-за опасений по поводу низкой производительности на более ранней стадии», — сказал источник в отрасли, пожелавший остаться неназванным.
«Samsung может быть сложно сразу получить акции TSMC, но она может попытаться получить преимущество, по крайней мере, в зарождающемся 3-нм техпроцессе».
Во время телефонной конференции в первом квартале в апреле руководители Samsung отклонили опасения по поводу начальной доходности, заявив, что они сократили период наращивания мощности за счет усиления контроля на протяжении всего процесса разработки.
Они также продемонстрировали уверенность в повышении прибыльности, сославшись на устойчивый рыночный спрос и прочные партнерские отношения с клиентами.
Последний прорыв произошел после того, как вице-председатель Samsung Electronics Ли Чжэ Ён, де-факто лидер крупнейшей компании страны, подтвердил свою приверженность технологиям «сверхпрорыва».
«Во-первых, это технологии, во-вторых, технологии, и в-третьих, тоже технологии», — сказал глава Samsung по возвращении из командировки в Европу в начале этого месяца.
Одной из основных целей его двухнедельной поездки были Нидерланды, где находится ASML, единственный производитель систем EUV, которые имеют решающее значение для создания современных микросхем.
Во время визита он провел встречи с премьер-министром Нидерландов Марком Рютте и генеральным директором ASML Питером Веннинком, чтобы попросить поддержки у Samsung для обеспечения большего количества машин ASML, которые в настоящее время находятся в дефиците из-за нехватки микросхем.
Когда президент США Джо Байден посетил Сеул в мае, он и президент Юн Сок Ёль подписали полупроводниковую пластину, а не книгу отзывов, во время своего визита на завод Samsung по производству микросхем в Пхёнтхэке, провинция Кёнгидо.
Пластина, произведенная по 3-нм техпроцессу Samsung, впервые была представлена публике.
Источник: https://www.koreaherald.com/view.php?ud=20220630000595&np=2&mp=1
Свежие комментарии